Специалисты ННГУ им. Лобачевского разработали инновационный метод получения кремния в гексагональной фазе, который позволит значительно повысить эффективность микросхем. Как сообщили в пресс-службе университета, эта разработка не имеет аналогов в мировой науке и может совершить революцию в микроэлектронике.
«Нам удалось стабилизировать гексагональную фазу кремния, что ранее считалось крайне сложной задачей», — пояснил доцент Антон Конаков. Такой кремний обладает повышенной проводимостью в определенных направлениях, что позволяет увеличить силу тока при меньшем напряжении. Это приведет к созданию более энергоэффективных транзисторов и повысит производительность процессоров.
Материал выращивается на стандартной кремниевой подложке и стабилизируется слоем германия. Полученная тонкая пленка сохраняет свою структуру и может использоваться в крупных микросхемах с множеством контактов.
Как отметил доцент Николай Кривулин, ученые также разработали оригинальные системы для выращивания тонких пленок кремния и германия, которые уже запатентованы. Эти технологии могут применяться для создания широкого спектра материалов, используемых в микроэлектронике.
Разработка велась в рамках программы «Приоритет-2030» при поддержке Центра трансфера технологий ННГУ. Следующим шагом станет масштабирование технологии для промышленного применения в российской электронной отрасли.
Это открытие может стать важным шагом к снижению зависимости от иностранных технологий и ускорению развития отечественной микроэлектроники.
